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STB4NK60Z-1中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STB4NK60Z-1
廠商型號

STB4NK60Z-1

功能描述

N-channel 600 V - 1.76 廓 - 4 A SuperMESH??Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FP

文件大小

578.96 Kbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-28 20:00:00

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STB4NK60Z-1規(guī)格書詳情

Description

The SuperMESH? series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH? layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Such series complements ST full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh? products.

Features

■ 100 avalanche tested

■ Very low intrinsic capacitances

Application

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STB4NK60Z-1

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch, 600V-1.76ohms Zener SuperMESH 4A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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