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STB60NE06-16中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STB60NE06-16
廠商型號

STB60NE06-16

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

文件大小

115.35 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-29 11:25:00

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STB60NE06-16規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique ” Single Feature Siz? ” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturingreproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.013 ?

■ EXCEPTIONAL dV/dt CAPABILTY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ LOW GATE CHARGE 100 oC

■ HIGH dV/dt CAPABILITY

■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

■ FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT SALES OFFICE

APPLICATIONS

■ DC MOTOR CONTROL

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS

■ SYNCHRONOUS RECTIFICATION

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STB60NE06-16

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全稱:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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