首頁>STB8N65M5>詳情

STB8N65M5_STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體_MOSFET MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A深圳達(dá)恩科技

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號：

    STB8N65M5

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    STMicroelectronics

  • 庫存數(shù)量：

    3146

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-3-20 14:16:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：STB8N65M5品牌：STMicroelectronics

進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)

  • 芯片型號：

    STB8N65M5

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    25 頁

  • 文件大小：

    1304.13 kb

  • 資料說明：

    N-channel 650 V, 0.56 廓, 7 A MDmesh??V Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    STB8N65M5

  • 功能描述：

    MOSFET MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市達(dá)恩科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉小姐

  • 手機(jī)：

    13510619928

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23917962

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北新亞洲國利大廈1515

相近型號