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STBV42130C9

GaN HEMT 50V, 130W,3.7-4.2GHz Full band RF Power Transistor

Description TheSTBV42130C9isadualpath130watt,InternallymatchedGaNHEMT,idealforapplicationsfrom 3.7to4.2GHzfullbandoperationespeciallyforLTE/5G. Thereisnoguaranteeofperformancewhenthispartisusedoutsideofstatedfrequencies. Applications ?AsymmetricalDoherty

INNOGRATIONInnogration Technologies, Inc.

遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)科技

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更多STBV42130C9供應(yīng)商 更新時間2025-4-28 17:43:00

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