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STD8NM60ND中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STD8NM60ND
廠商型號

STD8NM60ND
功能描述

N-channel 600 V, 0.59 , 7 A, FDmesh II Power MOSFET
文件大小

727.53 Kbytes
頁面數(shù)量

17 頁
生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-24 23:01:00
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STD8NM60ND規(guī)格書詳情

Description

The FDmesh? II series belongs to the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout and associates all advantages of reduced onresistance and fast switching with an intrinsic fastrecovery body diode.Strongly recommended for bridge topologies, in ZVS phase-shift converters.

Features

■ The worldwide best RDS(on)* area amongst the fast recovery diode devices

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

■ Extremely high dv/dt and avalanche capabilities

Application

■ Switching applications

產品屬性

  • 型號：

    STD8NM60ND

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 600 Volt 7 Amp FDMesh

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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