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STE110NS20FD中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STE110NS20FD
廠商型號

STE110NS20FD

功能描述

N-CHANNEL 200V - 0.022W - 110A ISOTOP MESH OVERLAY??Power MOSFET

文件大小

277.87 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-26 20:30:00

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STE110NS20FD規(guī)格書詳情

n TYPICAL RDS(on) = 0.022?

n EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

n 100 AVALANCHE TESTED

n GATE CHARGE MINIMIZED

n ± 20V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING

n LOW INTRINSIC CAPACITANCE

n FAST BODY-DRAIN DIODE:LOW trr, Qrr

DESCRIPTION

Using the latest high voltage MESH OVERLAY?

process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding

performances. The new patented STrip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(ON) per area,

exceptional avalanche and dv/dt capabilities and

unrivalled gate charge and switching characteristics.

APPLICATIONS

n HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

n SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)

n DC-AC CONVERTER FOR WELDING

EQUIPMENT AND UNINTERRUPTABLE

POWER SUPPLY AND MOTOR DRIVE

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STE110NS20FD

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 200 Volt 110 A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
專業(yè)模塊
MODULE
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ST/意法
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