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STF33N60DM6
廠商型號

STF33N60DM6

功能描述

N-channel 600 V, 115 m typ., 25 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO?220FP package

文件大小

264.91 Kbytes

頁面數量

12

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-5-4 13:00:00

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STF33N60DM6規(guī)格書詳情

Features

? Fast-recovery body diode

? Lower RDS(on) per area vs previous generation

? Low gate charge, input capacitance and resistance

? 100 avalanche tested

? Extremely high dv/dt ruggedness

? Zener-protected

Description

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fastrecovery

diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6

combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent

improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors

available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and

ZVS phase-shift converters.

Applications

? Switching applications

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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