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STFI20NM65N

Marking：20NM65N；Package：I2PAKFP(TO-281)；N-channel 650 V, 15 A, 0.250 廓 typ., MDmesh??II Power MOSFET in a I?PAKFP package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STI20NM65N

Lowgateinputresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STP20NM65N

N-channel650V,0.250廓,15ATO-220,TO-220FPsecondgenerationMDmesh??PowerMOSFET

Features ■100avalanchetested ■Lowinputcapacitanceandgatecharge ■Lowgateinputresistance Application ■Switchingapplications Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETs realizedusingthesecondgenerationMDmesh? technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFET ass

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STP20NM65N

Lowgateinputresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STW20NM65N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STW20NM65N

Lowgateinputresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多STFI20NM65N供應(yīng)商 更新時間2025-5-28 16:49:00

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