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STGB20NB32LZT4中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
STGB20NB32LZT4 |
| 功能描述 | N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH TM IGBT |
| 文件大小 |
494.28 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
| 中文名稱 | 意法半導體集團官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-9 22:58:00 |
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STGB20NB32LZT4規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH? IGBTs, with outstanding performances. The built in collector-gate zener exhibits a very precise active clamping while the gate-emitter zener supplies an ESD protection.
■ POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN
■ LOW THRESHOLD VOLTAGE
■ LOW ON-VOLTAGE DROP
■ HIGH CURRENT CAPABILITY
■ HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURE
APPLICATIONS
■ ELECTRONIC IGNITION FOR AUTOMOTIVE
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STGB20NB32LZT4
- 功能描述：
IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 20 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
650 V
- 集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流：
150 A
- 柵極—射極漏泄電流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封裝/箱體：
TO-247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2016+ |
TO263 |
14822 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
ST |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
TO263 |
20000 |
全新原廠原裝，進口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅??！ |
詢價 | ||
ST |
1926+ |
D2PAK |
6852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價 | ||
STM |
23+ |
NA |
870 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價 | ||
STMicro. |
23+ |
DPAK |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢 |
詢價 | ||
ST |
25+ |
TO263 |
18000 |
全新原裝 |
詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
584 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
ST |
TO263 |
14822 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 |
