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STGD18N40LZ-1

EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT

Description Thisapplication-specificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESH?technology.Thebuilt-inZenerdiodesbetweengate-collectorandgate-emitterprovideovervoltageprotectioncapabilities.Thedevicealsoexhibitslowon-statevoltagedropandlowthresholddriveforuseinautomot

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STGD18N40LZ-1

EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT

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STGD18N40LZ-1

EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT

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STGD18N40LZ-1

Package：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 420V 25A 125W IPAK

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STGB18N40LZ-1

EAS180mJ-400V-internallyclampedIGBT

Description Thisapplication-specificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESH?technology.Thebuilt-inZenerdiodesbetweengate-collectorandgate-emitterprovideovervoltageprotectioncapabilities.Thedevicealsoexhibitslowon-statevoltagedropandlowthresholddriveforuseinautomot

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    STGD18N40LZ-1

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.7V @ 4.5V，10A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    650ns/13.5μs

  • 測試條件：

    300V，10A，5V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    I-PAK

  • 描述：

    IGBT 420V 25A 125W IPAK

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STGD18N40LZ-1供應(yīng)商 更新時間2025-5-19 11:06:00

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