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STGD7NB120S-1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
STGD7NB120S-1 |
| 參數(shù)屬性 | STGD7NB120S-1 封裝/外殼為TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 10A 55W IPAK |
| 功能描述 | N-CHANNEL 7A - 1200V IPAK Power MESH IGBT |
| 封裝外殼 | TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA |
| 文件大小 |
43.82 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
| 中文名稱 | 意法半導體集團官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-12 12:17:00 |
STGD7NB120S-1規(guī)格書詳情
STGD7NB120S-1屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STGD7NB120S-1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH? IGBTs, with outstanding perfomances. The suffix ”S” identifies a family optimized to achieve minimum on-voltage drop for low frequency applications (
■ HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)
■ VERY LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat)
■ HIGH CURRENT CAPABILITY
■ OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
APPLICATIONS
■ LIGHT DIMMER
■ INRUSH CURRENT LIMITATION
■ MOTOR CONTROL
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
STGD7NB120S-1
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
PowerMESH?
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，7A
- 開關(guān)能量：
15mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
570ns/-
- 測試條件：
960V，7A，1 千歐，15V
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
- 供應商器件封裝：
TO-251（IPAK）
- 描述：
IGBT 1200V 10A 55W IPAK
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
TO- |
93480 |
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詢價 | |||
ST原裝正品現(xiàn)貨 |
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STM |
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ST |
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STMicro. |
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ST |
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ST |
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