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STGF10NB60SD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGF10NB60SD
廠商型號

STGF10NB60SD
參數(shù)屬性

STGF10NB60SD 封裝/外殼為TO-220-3 整包；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 23A 25W TO220FP
功能描述

N-CHANNEL 10A - 600V TO-220FP PowerMESH IGBT
IGBT 600V 23A 25W TO220FP
封裝外殼

TO-220-3 整包
文件大小

325.49 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-5-29 10:03:00
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STGF10NB60SD規(guī)格書詳情

STGF10NB60SD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGF10NB60SD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    STGF10NB60SD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.75V @ 15V，10A

  • 開關(guān)能量：

    600μJ（開），5mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    700ns/1.2μs

  • 測試條件：

    480V，10A，1 千歐，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220FP

  • 描述：

    IGBT 600V 23A 25W TO220FP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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