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STGP10NB60S分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGP10NB60S
廠商型號

STGP10NB60S
參數(shù)屬性

STGP10NB60S 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 29A 80W TO220
功能描述

N-CHANNEL 10A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT
IGBT 600V 29A 80W TO220
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

85.89 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-25 23:01:00
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STGP10NB60S規(guī)格書詳情

STGP10NB60S屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STGP10NB60S晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

DESCRIPTION

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the Pow erMESH? IGBTs, with outstanding performances. The suffix “S” identifies a family optimized achieve minimum on-voltage drop for low frequency appli cations (

■ HIGHT INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)

■ VERY LOW ON-VOLTAGE DROP( Vcesat )

■ HIGH CURRENT CAPABILITY

■ OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT

APPLICATIONS

■ LIGHT DIMMER

■ STATIC RELAYS

■ MOTOR CONTROL

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    STGP10NB60S

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.75V @ 15V，10A

  • 開關能量：

    600μJ（開），5mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    700ns/1.2μs

  • 測試條件：

    480V，10A，1 千歐，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    IGBT 600V 29A 80W TO220

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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