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STGW30H60DLFB

Marking：GW30H60DLFB；Package：TO-247；Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThedeviceispartofthenewHB seriesofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching lossestomaximizetheefficiencyofany frequencyconve

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW30H60DLFB

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT HB 600V 30A HS TO247

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STGWA30H60DFB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,30Ahighspeed

Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThesedevicesarepartofthenewHB seriesofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching losstomaximizetheefficiencyofanyfrequency convert

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STGWT30H60DFB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,30Ahighspeed

Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThesedevicesarepartofthenewHB seriesofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching losstomaximizetheefficiencyofanyfrequency convert

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STPS30H60C

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STPS30H60CFP

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STPS30H60CG

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STPS30H60CG-TR

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STPS30H60CR

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STPS30H60CT

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGW30H60DLFB

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    293μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    -/146ns

  • 測試條件：

    400V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT HB 600V 30A HS TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多STGW30H60DLFB供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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