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STGW30NC60VD分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
![STGW30NC60VD](https://img.114ic.com/dgk/Renders/STMicro%20Renders/TO-247-3-EP-Long-Lead.jpg)
廠商型號 |
STGW30NC60VD |
參數屬性 | STGW30NC60VD 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 600V 80A 250W TO247 |
功能描述 | N-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH TM IGBT |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
411.41 Kbytes |
頁面數量 |
13 頁 |
生產廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
中文名稱 | 意法半導體集團官網 |
原廠標識 | ![]() |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-2-12 22:30:00 |
STGW30NC60VD規(guī)格書詳情
STGW30NC60VD屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產的STGW30NC60VD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產品屬性
更多- 產品編號:
STGW30NC60VD
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
PowerMESH?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,20A
- 開關能量:
220μJ(開),330μJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
31ns/100ns
- 測試條件:
390V,20A,3.3 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 600V 80A 250W TO247
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2018+ |
TO-247 |
6000 |
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ST/意法半導體 |
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ST/意法 |
24+ |
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STMicroelectronics |
24+ |
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