首頁>STGW30NC60VD>規(guī)格書詳情

STGW30NC60VD分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGW30NC60VD
廠商型號

STGW30NC60VD

參數屬性

STGW30NC60VD 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 600V 80A 250W TO247

功能描述

N-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH TM IGBT
IGBT 600V 80A 250W TO247

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

411.41 Kbytes

頁面數量

13

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網

原廠標識
數據手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-12 22:30:00

STGW30NC60VD規(guī)格書詳情

STGW30NC60VD屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產的STGW30NC60VD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    STGW30NC60VD

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,20A

  • 開關能量:

    220μJ(開),330μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    31ns/100ns

  • 測試條件:

    390V,20A,3.3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 80A 250W TO247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
2018+
TO-247
6000
全新原裝正品現貨,假一賠佰
詢價
ST/意法半導體
2023+
Si
6000
全新原裝深圳倉庫現貨有單必成
詢價
ST/意法
24+
TO247
58000
全新原廠原裝正品現貨,可提供技術支持、樣品免費!
詢價
STMicroelectronics
24+
TO-247-3
30000
晶體管-分立半導體產品-原裝正品
詢價
ST/意法半導體
21+
Si
63880
本公司只售原裝 支持實單
詢價
ST
23+
NA
5000
專業(yè)電子元器件供應鏈正邁科技特價代理QQ1304306553
詢價
STMicro.
23+
TO-247
7750
全新原裝優(yōu)勢
詢價
ST/意法半導體
21+
Si
12820
公司只做原裝,誠信經營
詢價
ST/意法
16+
TO-247
2999
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
ST
1926+
TO-247
6852
只做原裝正品現貨!或訂貨假一賠十!
詢價