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STGW60H65DF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGW60H65DF
廠商型號(hào)

STGW60H65DF
參數(shù)屬性

STGW60H65DF 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 650V 120A 360W TO247
功能描述

60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with very fast diode
IGBT 650V 120A 360W TO247
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

1.92588 Mbytes
頁面數(shù)量

13 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-7 13:58:00

STGW60H65DF規(guī)格書詳情

STGW60H65DF屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGW60H65DF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGW60H65DF

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 15V，60A

  • 開關(guān)能量：

    1.5mJ（開），1.1mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    67ns/165ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，60A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 650V 120A 360W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST
23+
TO247
24981
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
ST
1926+
TO-247
6852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價(jià)
ST
589220
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤 更多數(shù)量
 詢價(jià)
ST
TO247
36900
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
 詢價(jià)
ST
22+
TO247
12245
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!
 詢價(jià)
ST
23+
TO-247
2675
原廠原裝正品
 詢價(jià)
ST
2405+
原廠封裝
50000
15年芯片行業(yè)經(jīng)驗(yàn)/只供原裝正品:0755-83268930鄒小姐
 詢價(jià)
ST
23+
TO247
10000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ST
2023+
80000
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價(jià)
ST/意法
22+
N
28000
原裝現(xiàn)貨只有原裝.假一罰十
 詢價(jià)

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