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STGWA60V60DWFAG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

STGWA60V60DWFAG
廠商型號(hào)

STGWA60V60DWFAG
參數(shù)屬性

STGWA60V60DWFAG 封裝/外殼為T(mén)O-247-3；包裝為管件；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：AUTOMOTIVE-GRADE TRENCH FIELD-ST
功能描述

Automotive-grade trench gate field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT featuring freewheeling SiC diode
AUTOMOTIVE-GRADE TRENCH FIELD-ST
絲印標(biāo)識(shí)

G60V60DWFAG
封裝外殼

TO-247 / TO-247-3
文件大小

619.55 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-5 23:00:00
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STGWA60V60DWFAG規(guī)格書(shū)詳情

STGWA60V60DWFAG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGWA60V60DWFAG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

Features

? AEC-Q101 qualified

? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

? VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A

? Tail-less switching current

? Tight parameter distribution

? Low thermal resistance

? Positive VCE(sat) temperature coefficient

? Silicon carbide diode with no-reverse recovery charge is co-packaged in

freewheeling configuration

Applications

? Automotive converters

? Totem-pole power factor correction

Description

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop

structure. The device is part of the V series IGBTs, which represent an optimum

compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of

very high frequency converters. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature

coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Co-packed with the IGBT a silicon carbide diode has been adopted: no recovery is

shown at turn-off of the SiC diode and the already minimal capacitive turn-off

behavior is independent of temperature. Its high forward surge capability ensures

good robustness during transient phases.

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGWA60V60DWFAG

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，60A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    1.02mJ（開(kāi)），370μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    35ns/190ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，60A，4.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247 長(zhǎng)引線

  • 描述：

    AUTOMOTIVE-GRADE TRENCH FIELD-ST

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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