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STHI10N50FI中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STHI10N50FI
廠商型號(hào)

STHI10N50FI

功能描述

HIGH INJECTION N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS (IGBT)

文件大小

207.14 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 11:16:00

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STHI10N50FI規(guī)格書詳情

? HIGH INPUT IMPEDANCE

? LOW ON-VOLTAGE

? HIGH CURRENT CAPABILITY

? FAST TURN-OFF: tf < 1.5 P.s

APPLICATIONS:

? MOTOR CONTROL

N - channel High Injection POWER MOS transistors

(IGBT) which feature a high impedance insulated

gate input and a low on-resistance

characteristic of bipolar transistors. This low

resistance is achieved by conductivity modulation

of the drain. These devices are particularly suited

to switching motor control applications in consumer

equipment such as washing machines and tumble

dryers and industrial equipment motor control.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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