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STL320N4LF8分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

STL320N4LF8
廠商型號

STL320N4LF8

參數(shù)屬性

STL320N4LF8 封裝/外殼為8-PowerDFN;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V

功能描述

N-channel enhancement mode logic level 40 V, 0.8 mΩ max., 360 A, STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V

絲印標(biāo)識

320N4LF8

封裝外殼

PowerFLAT5x6 / 8-PowerDFN

文件大小

617.14 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-15 22:59:00

STL320N4LF8規(guī)格書詳情

STL320N4LF8屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STL320N4LF8晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

Features

MSL1 grade

175 °C operating temperature

100 avalanche tested

Applications

Switching applications

Description

This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F8 technology featuring an

enhanced trench gate structure.

ensures very low on-state resistance while reducing internal capacitances and gate

charge for faster and more efficient switching.

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STL320N4LF8

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 包裝:

    管件

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PowerFlat?(5x6)

  • 封裝/外殼:

    8-PowerDFN

  • 描述:

    AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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