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STN1N20中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STN1N20
廠商型號

STN1N20

功能描述

N-channel 200 V, 1.2 ?, 1 A, SOT-223 MESH OVERLAY? Power MOSFET

絲印標識

N1N20

封裝外殼

SOT-223

文件大小

515.2 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-22 9:48:00

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STN1N20規(guī)格書詳情

Description

This device is an N-channel Power MOSFET

developed using the latest high voltage MESH

OVERLAY? process. The new patented STrip

layout coupled with the company’s proprietary

edge termination structure, makes it suitable in

converters for lighting applications.

Features

■ 100 avalanche tested

Application

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STN1N20

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 200 Volt 1 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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