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STP26NM60ND中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STP26NM60ND
廠商型號(hào)

STP26NM60ND

功能描述

Low input capacitance and gate charge

文件大小

1.35849 Mbytes

頁面數(shù)量

23

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 11:26:00

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STP26NM60ND規(guī)格書詳情

Description

These FDmesh? II Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh? technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these revolutionary devices feature extremely low on-resistance and superior switching performance. They are ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Features

? 100 avalanche tested

? Low input capacitance and gate charge

? Low gate input resistance

? Extremely high dv/dt and avalanche capabilities

Applications

? Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STP26NM60ND

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    N-CHANNEL 600 V, 0.144 OHM TYP., 21 A FDMESH(TM) II POWER MO - Rail/Tube

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 21A TO220

  • 功能描述:

    Single N-Channel 650 V 0.175 Ohm 190 W Through Hole Power Mosfet - TO-220-3

  • 功能描述:

    N-channel 600 V, 0.144 Ohm typ., 21 A, TO-220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST/意法
23+
TO-220
8000
原裝正品實(shí)單必成
詢價(jià)
ST/意法
23+
TO220
11200
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO
詢價(jià)
ST
2015+
TO220A
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)
詢價(jià)
ST/意法
1818+ROHS
TO-220
1
詢價(jià)
ST/意法
23+
TO-220
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價(jià)
ST
21+
TO-220
23480
詢價(jià)
ST
22+
TO2203
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
ST/意法
24+
N/A
14280
強(qiáng)勢(shì)渠道訂貨 7-10天
詢價(jià)
ST/意法
24+
TO-220
39197
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
詢價(jià)
STMicroelectronics
24+
NA
3499
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
詢價(jià)