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STP4N62K3中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STP4N62K3
廠商型號(hào)

STP4N62K3

功能描述

N-channel 620 V, 1.7 廓 typ., 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFET

文件大小

1.06158 Mbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-20 20:00:00

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STP4N62K3規(guī)格書詳情

Description

These SuperMESH3? Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH? technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low onresistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.

Features

■ 100 avalanche tested

■ Extremely high dv/dt capability

■ Gate charge minimized

■ Very low intrinsic capacitance

■ Improved diode reverse recovery characteristics

■ Zener-protected

Applications

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STP4N62K3

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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