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STP6NC60	文件：364.52 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH??I MOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH?IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY?.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=1.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STP6NC60FP	文件：364.52 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH??I MOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH?IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY?.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=1.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
GB6NC60H	文件：326.79 Kbytes Page：14 Pages	N-channel600V-7A-D2PAKVeryfastPowerMESHTMIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
GB6NC60HD	文件：406.44 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V-7A-D2PAK/TO-220/TO-220FPVeryfastPowerMESHTMIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
GD6NC60H	文件：454.86 Kbytes Page：14 Pages	N-channel600V-7A-DPAKVeryfastPowerMESHTMIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
GD6NC60HD	文件：467.28 Kbytes Page：15 Pages	N-channel600V-7A-DPAKVeryfastPowerMESHTMIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
GF6NC60HD	文件：406.44 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V-7A-D2PAK/TO-220/TO-220FPVeryfastPowerMESHTMIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
GP6NC60HD	文件：406.44 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V-7A-D2PAK/TO-220/TO-220FPVeryfastPowerMESHTMIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
P6NC60	文件：364.52 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL600V-1ohm-6ATO-220/TO-220FP/I2PAKPowerMESH??IMOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH?IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY?.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=1.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
P6NC60FP	文件：364.52 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL600V-1ohm-6ATO-220/TO-220FP/I2PAKPowerMESH??IMOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH?IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY?.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=1.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
STP6NC60
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 6A TO-220
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
PowerMESH™
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多STP6NC60供應(yīng)商更新時(shí)間2025-2-7 10:43:00

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