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STW19NM65N中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STW19NM65N
廠商型號(hào)

STW19NM65N

功能描述

N-channel 650 V - 0.25 廓 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh??Power MOSFET

文件大小

532.84 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

19 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-23 20:00:00

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STW19NM65N規(guī)格書(shū)詳情

Description

This series of devices implements the second generation of MDmesh? Technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the Company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters

Features

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Application

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STW19NM65N

  • 功能描述:

    MOSFET N-channel 650V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法
23+
NA/
1070
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
詢價(jià)
ST
22+23+
TO-247
27901
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
詢價(jià)
ST/意法
08+
TO-247
1070
詢價(jià)
ST/意法
24+
TO-247
1070
只做原廠渠道 可追溯貨源
詢價(jià)
ST
24+
TO-247-3
600
詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
22+
N
28000
原裝現(xiàn)貨只有原裝.假一罰十
詢價(jià)
STMicroelectronics
2022+
TO-247-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
22+
N
28000
原裝現(xiàn)貨只有原裝.假一罰十
詢價(jià)
ST
08+
TO-247
1070
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
STMicro.
23+
TO-247
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
詢價(jià)