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SVF4N90DTR中文資料士蘭微數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SVF4N90DTR
廠商型號(hào)

SVF4N90DTR

功能描述

4A, 900V N-CHANNEL MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

SVF4N90D

封裝外殼

TO-252-2L

文件大小

294.66 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Silan Microelectronics Joint-stock
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SILAN士蘭微

中文名稱

杭州士蘭微電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 18:30:00

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SVF4N90DTR規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

SVF4N90F/MJ/T/D is an N-channel enhancement mode power

MOS field effect transistor which is produced using Silan

proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The

improved process and cell structure have been especially tailored

to minimize on-state resistance, provide superior switching

performance, and withstand high energy pulse in the avalanche

and commutation mode.

These devices are widely used in AC-DC power supplies, DC-DC

converters and H-bridge PWM motor drivers.

FEATURES

? 4A,900V,RDS(on)(typ.)=2.7?@VGS=10V

? Low gate charge

? Low Crss

? Fast switching

? Improved dv/dt capability

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
SILAN士蘭
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