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SVS7N70MJD2中文資料士蘭微數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SVS7N70MJD2
廠商型號(hào)

SVS7N70MJD2

功能描述

7A, 700V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR

絲印標(biāo)識(shí)

7N70MJD2

封裝外殼

TO-251J-3L

文件大小

397.97 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Silan Microelectronics Joint-stock
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

SILAN士蘭微

中文名稱(chēng)

杭州士蘭微電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-23 13:38:00

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SVS7N70MJD2規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

SVS7N70F(D)(MJ)(S)D2 is an N-channel enhancement mode high

voltage power MOSFETs produced using Silan’s super junction MOS

technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It

leads the design engineers to their power converters with high

efficiency, high power density, and superior thermal behavior.

Furthermore, it’s universal applicable, i.e., suitable for hard and soft

switching topologies.

FEATURES

? 7A, 700V, RDS(on)(typ.)=0.52?@VGS=10V

? New revolutionary high voltage technology

? Ultra low gate charge

? Periodic avalanche rated

? Extreme dv/dt rated

? High peak current capability

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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23+
DIP52
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