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SVT035R5NDTR中文資料士蘭微數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SVT035R5NDTR
廠商型號

SVT035R5NDTR

功能描述

100A, 30V N-CHANNEL MOSFET

絲印標(biāo)識

035R5ND

封裝外殼

TO-252-2L

文件大小

369.3 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Silan Microelectronics Joint-stock
企業(yè)簡稱

SILAN士蘭微

中文名稱

杭州士蘭微電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-30 8:25:00

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SVT035R5NDTR規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The SVT035R5ND(MJ)(T) is an N-channel enhancement mode

power MOS field effect transistor which is produced using Silan's

LVMOS technology. The improved process and cell structure have

been especially tailored to minimize on-state resistance, provide

superior switching performance.

This device is widely used in the fields of uninterruptible power

supplies and power management of inverter systems.

FEATURES

? 100A, 30V, RDS(on)(typ.)=4.0m?@VGS=10V

? Low gate charge

? Low Crss

? Fast switching

? Improved dv/dt capability

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
SILAN/士蘭微
21+
TO220
38000
詢價(jià)
杭州士蘭
兩年內(nèi)
NA
4626
實(shí)單價(jià)格可談
詢價(jià)
友臺
23+
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16300
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SILAN(士蘭微)
23+
TO-220
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三極管/MOS管/晶體管 > 場效應(yīng)管(MOSFET)
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SILAN/士蘭微
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SILAN/士蘭微
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SILAN/士蘭微
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SILAN
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SILAN
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