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SVT085R5NSTR中文資料士蘭微數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SVT085R5NSTR
廠商型號

SVT085R5NSTR

功能描述

120A, 85V N-CHANNEL MOSFET

絲印標(biāo)識

085R5NS

封裝外殼

TO-263-2L

文件大小

315.58 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Silan Microelectronics Joint-stock
企業(yè)簡稱

SILAN士蘭微

中文名稱

杭州士蘭微電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-21 18:53:00

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SVT085R5NSTR規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The SVT085R5NT/S/L5 is an N-channel enhancement mode power

MOS field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS

technology. The improved process and cell structure have been

especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

switching performance.

This device is widely used in the fields of uninterruptible power

supplies and power management of inverter systems.

FEATURES

? 120A,85V,RDS(on)(typ.)=4.5m?@VGS=10V

? Low gate charge

? Low Crss

? Fast switching

? Improved dv/dt capability

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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TO-277
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