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SWB068R08ET

Marking：SW068R08ET；Package：TO-263；N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET

Features ? Highruggedness ? LowRDS(ON)(Typ7.1mΩ)@VGS=10V ? LowGateCharge(Typ59nC) ? Improveddv/dtCapability ? 100AvalancheTested ? Application:SynchronousRectification,LiBatteryProtectBoard,Inverter GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedtec

SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.

芯派科技芯派科技股份有限公司

SWD065R68E7T

Marking：SW065R68E7T；Package：TO-252；N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET

Features ?Highruggedness ?LowRDS(ON)(Typ6.3mΩ)@VGS=10V ?LowGateCharge(Typ75nC) ?Improveddv/dtCapability ?100AvalancheTested ?Application:SynchronousRectification,LiBatteryProtectBoard,Inverter GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedtechnol

SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.

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SWD4N70L

Marking：SW4N70L；Package：TO-252；N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET

Features ?Highruggedness ?LowRDS(ON)(Typ0.8Ω)@VGS=10V ?LowGateCharge(Typ18nC) ?Improveddv/dtCapability ?100AvalancheTested ?Application:LED,Charge,Adaptor GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedsuperjunctiontechnologyofSAMWIN. Thistechno

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SWD7N65DA

Marking：SW7N65DA；Package：TO-252；N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-262N/TO-252 MOSFET

Features ?Highruggedness ?LowRDS(ON)(Typ1.4Ω)@VGS=10V ?LowGateCharge(Typ25nC) ?Improveddv/dtCapability ?100AvalancheTested ?Application:LED,Charge,PCPower

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SWF13N65D

Marking：SW13N65D；Package：TO-220F；N-channel Enhanced mode TO-220FMOSFET

Features ? Highruggedness ? LowRDS(ON)(Typ0.6Ω)@VGS=10V ? LowGateCharge(Typ54nC) ? Improveddv/dtCapability ? 100AvalancheTested ? Application:LED,Charger,PCPower

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SWH160R02VT

Marking：SW160R02V；Package：DFN33；N-channel Enhanced mode DFN3*3 MOSFET

Features ? Highruggedness ? LowRDS(ON)(Typ12.3mΩ)@VGS=2.5V(Typ9.4mΩ)@VGS=4.5V ? LowGateCharge(Typ15.4nC) ? Improveddv/dtCapability ? 100AvalancheTested ? Application:DC-DCConverter,Inverter,SynchronousRectification GeneralDescription ThispowerMOSFETisproduced

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SWJ7N65DA

Marking：SW7N65DA；Package：TO-262N；N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-262N/TO-252 MOSFET

Features ?Highruggedness ?LowRDS(ON)(Typ1.4Ω)@VGS=10V ?LowGateCharge(Typ25nC) ?Improveddv/dtCapability ?100AvalancheTested ?Application:LED,Charge,PCPower

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SWN4N70L

Marking：SW4N70L；Package：TO-251N；N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET

Features ?Highruggedness ?LowRDS(ON)(Typ0.8Ω)@VGS=10V ?LowGateCharge(Typ18nC) ?Improveddv/dtCapability ?100AvalancheTested ?Application:LED,Charge,Adaptor GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedsuperjunctiontechnologyofSAMWIN. Thistechno

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SWN7N65DA

Marking：SW7N65DA；Package：TO-251N；N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-262N/TO-252 MOSFET

Features ?Highruggedness ?LowRDS(ON)(Typ1.4Ω)@VGS=10V ?LowGateCharge(Typ25nC) ?Improveddv/dtCapability ?100AvalancheTested ?Application:LED,Charge,PCPower

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SWP055R06E7T

Marking：SW055R06E7T；Package：TO-220；N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET

Features ?Highruggedness ?LowRDS(ON)(Typ5.2mΩ)@VGS=10V ?LowGateCharge(Typ94nC) ?Improveddv/dtCapability ?100AvalancheTested ?Application:SynchronousRectification, LiBatteryProtectBoard,Inverter

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替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    SWT1032

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    30V

  • 最大電流允許值：

    0.05A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

    3CG110B,

  • 最大耗散功率：

    0.35W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    30

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.05

  • wtest：

    0.35

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SW

  • 制造商：

    SUPERSWITCH

  • 功能描述：

    CONNECTION UNIT FLAT SS FUSED

  • 功能描述：

    CONNECTION UNIT, FLAT, SS, FUSED

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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全新原裝 貨期兩周
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原裝正品，支持實單
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