TAN250分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
TAN250 |
| 參數(shù)屬性 | TAN250 封裝/外殼為55AW；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55AW |
| 功能描述 | RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | 55AW |
| 文件大小 |
23.1 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
1 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Advanced Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ASI |
| 中文名稱 | Advanced Semiconductor官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-12 17:34:00 |
| 人工找貨 | TAN250價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
TAN250規(guī)格書詳情
DESCRIPTION:
The ASI TAN250A is a Common Base Transistor Designed for DME, TACAN and IFF Pulse Power Amplifier Applications.
FEATURES INCLUDE:
? Gold Metallization
? Hermetic Package
? Input/Output Matching
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
TAN250A
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
60V
- 頻率 - 躍遷：
960MHz ~ 1.215GHz
- 增益：
6.2db ~ 7dB
- 功率 - 最大值：
575W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 1A，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
30A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
55AW
- 供應(yīng)商器件封裝：
55AW
- 描述：
RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55AW
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GHZ |
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