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TC4431EPA集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

TC4431EPA
廠商型號(hào)

TC4431EPA

參數(shù)屬性

TC4431EPA 封裝/外殼為8-DIP(0.300",7.62mm);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP

功能描述

1.5A High-Speed 30V MOSFET Drivers
IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP

封裝外殼

8-DIP(0.300",7.62mm)

文件大小

433.49 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Microchip Technology
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Microchip微芯科技

中文名稱

微芯科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-11 22:58:00

TC4431EPA規(guī)格書(shū)詳情

TC4431EPA屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由微芯科技股份有限公司制造生產(chǎn)的TC4431EPA柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來(lái)自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過(guò)的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

GENERAL DESCRIPTION

The TC4431/4432 are 30V CMOS buffer/drivers suitable for use in high-side driver applications. They will not latch up under any conditions within their power and voltage ratings. They can accept, without damage or logic upset, up to 300mA of reverse current (of either polarity) being forced back into their outputs. All terminals are fully protected against up to 4kV of electrostatic discharge.

FEATURES

■ High Peak Output Current ............................... 1.5A

■ Wide Operating Range ............................. 5V to 30V

■ High Capacitive Load

Drive Capability ......................... 1000 pF in 25nsec

■ Short Delay Time ................................ <78nsec Typ

■ Low Supply Current

— With Logic “1” Input ................................. 2.5mA

— With Logic “0” Input ................................. 300μA

■ Low Output Impedance ....................................... 7?

■ Latch-Up Protected .......... Will Withstand >300mA

Reverse Current

■ ESD Protected ....................................................4 kV

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    TC4431EPA

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    高壓側(cè)或低壓側(cè)

  • 通道類型:

    單路

  • 柵極類型:

    N 溝道,P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 30V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,2.4V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    1.5A,1.5A

  • 輸入類型:

    反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    25ns,33ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    8-DIP(0.300",7.62mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-PDIP

  • 描述:

    IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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