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TC518128BFL-10L

131,072 WORD x 8 BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM

Description TheTC518128Bisa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518128Butilizes aonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpowerstorage.The TC518128Boperatesfromasing

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TC518128BFL-10

131,072WORDx8BITCMOSPSEUDOSTATICRAM

Description TheTC518128Bisa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518128Butilizes aonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpowerstorage.The TC518128Boperatesfromasing

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TC518128BFL-10V

131,072WORDx8BITCMOSPSEUDOSTATICRAM

Description TheTC518128B-Visa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518128B-V utilizesaonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpower storage.TheTC518128B-Voperatesfrom

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更多TC518128BFL-10L供應(yīng)商 更新時間2025-3-19 15:48:00

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