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TC518129CFWL	文件：273 Kbytes Page：12 Pages	131,072-WORD BY 8-BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM DESCRIPTION TheTC518129CPL/CFL/CFWL/CFTLisa1,048,578-bitCMOSpseudostaticrandomaccessmemory(PSRAM) organizedas131,072wordsby8bits.Itfeatureaone-transistordynamicmemorycellusingCMOSperipheral circuitrytoprovidelargecapacity,highspeedandlowpower.Itusesasingl	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TC518129CFWL-10	文件：273 Kbytes Page：12 Pages	131,072-WORD BY 8-BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM DESCRIPTION TheTC518129CPL/CFL/CFWL/CFTLisa1,048,578-bitCMOSpseudostaticrandomaccessmemory(PSRAM) organizedas131,072wordsby8bits.Itfeatureaone-transistordynamicmemorycellusingCMOSperipheral circuitrytoprovidelargecapacity,highspeedandlowpower.Itusesasingl	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
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TC518129CFWL-70	文件：273 Kbytes Page：12 Pages	131,072-WORD BY 8-BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM DESCRIPTION TheTC518129CPL/CFL/CFWL/CFTLisa1,048,578-bitCMOSpseudostaticrandomaccessmemory(PSRAM) organizedas131,072wordsby8bits.Itfeatureaone-transistordynamicmemorycellusingCMOSperipheral circuitrytoprovidelargecapacity,highspeedandlowpower.Itusesasingl	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TC518129CFWL-70L	文件：273 Kbytes Page：12 Pages	131,072-WORD BY 8-BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM DESCRIPTION TheTC518129CPL/CFL/CFWL/CFTLisa1,048,578-bitCMOSpseudostaticrandomaccessmemory(PSRAM) organizedas131,072wordsby8bits.Itfeatureaone-transistordynamicmemorycellusingCMOSperipheral circuitrytoprovidelargecapacity,highspeedandlowpower.Itusesasingl	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TC518129CFWL-80	文件：273 Kbytes Page：12 Pages	131,072-WORD BY 8-BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM DESCRIPTION TheTC518129CPL/CFL/CFWL/CFTLisa1,048,578-bitCMOSpseudostaticrandomaccessmemory(PSRAM) organizedas131,072wordsby8bits.Itfeatureaone-transistordynamicmemorycellusingCMOSperipheral circuitrytoprovidelargecapacity,highspeedandlowpower.Itusesasingl	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TC518129CFWL-80L	文件：273 Kbytes Page：12 Pages	131,072-WORD BY 8-BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM DESCRIPTION TheTC518129CPL/CFL/CFWL/CFTLisa1,048,578-bitCMOSpseudostaticrandomaccessmemory(PSRAM) organizedas131,072wordsby8bits.Itfeatureaone-transistordynamicmemorycellusingCMOSperipheral circuitrytoprovidelargecapacity,highspeedandlowpower.Itusesasingl	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TC518129AF	文件：301.04 Kbytes Page：9 Pages	131,072WORDx8BITCMOSPSEUDOSTATICRAM Description TheTC518129Aisa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518129Autilizes aonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpowerstorage.The TC518129Aoperatesfromasing	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TC518129AFL	文件：376.41 Kbytes Page：14 Pages	131,072WORDx8BITCMOSPSEUDOSTATICRAM Description TheTC518129A-LVisa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518129A-LV utilizesaonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpower storage.TheTC518129A-LVoperatesfr	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
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