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TC58NYG1S3HBAI4

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

KIOXIAKIOXIA Corporation

鎧俠鎧俠株式會社

TC58NYG1S3HBAI4

SLC NAND & BENAND Reliability and Performance

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TC58NYG1S3HBAI4

Package:63-VFBGA;包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC FLASH 2GBIT 63TFBGA

Kioxia America, Inc.

Kioxia America, Inc.

Kioxia America, Inc.

產品屬性

  • 產品編號:

    TC58NYG1S3HBAI4

  • 制造商:

    Kioxia America, Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術:

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存儲容量:

    2Gb(256M x 8)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    63-VFBGA

  • 供應商器件封裝:

    63-TFBGA(9x11)

  • 描述:

    IC FLASH 2GBIT 63TFBGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TC58NYG1S3HBAI4供應商 更新時間2025-2-21 13:30:00