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TDTA114Y分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

TDTA114Y
廠商型號

TDTA114Y

參數(shù)屬性

TDTA114Y 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SOT23

功能描述

Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type

絲印標(biāo)識

YH

封裝外殼

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

229.41 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-7 17:10:00

TDTA114Y規(guī)格書詳情

1. Applications

? Switching

? Inverter Circuits

? Driver Circuits

2. Features

(1) The integrated bias resistor reduces the number of external parts required, making it possible to reduce

system size and assembly time.

(2) Toshiba offers transistors with a wide range of resistance to accommodate various circuit designs.

(3) Complementary to TDTC114Y

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    TDTA114Y,LM

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    90 @ 5mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SOT23

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