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TF050N04M

Marking：TF050N04M；Package：PDFNWB3.3x3.3-8L；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

●GeneralDescription TheTF050N04Mcombinesadvancedtrench MOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealfor loadswitchandbatteryprotectionapplications. ●Features AdvancehighcelldensityTrenchtechnology LowRDS(ON)tominimiz

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓鋒半導(dǎo)體深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司

BSC050N04LSG

OptiMOS??Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC050N04LSG

OptiMOS??Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

TF050N04N

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

●GeneralDescription TheTF050N04NusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. ●Features Advancedeviceconstructure LowRDS(ON)tominimizeconductionloss LowGateChargeforfastswitching

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓鋒半導(dǎo)體深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司

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更多TF050N04M供應(yīng)商 更新時間2025-5-24 11:06:00

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