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TFD085N03M

Marking：D085N03M；Package：PDFN3333-8L；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Description TheTFD085N03Musesadvancedtrenchtechnologytoprovi deexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa Batteryprotectionorinotherswitchingapplication. GeneralFeature VDS=30V,ID=25A RDS(

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓鋒半導體深圳市拓鋒半導體科技有限公司

G085N03K

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheG085N03Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

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谷峰半導體

G085N03KA

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheG085N03KAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導體

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更多TFD085N03M供應商 更新時間2025-3-15 11:06:00

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