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TIM1213-30L中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

TIM1213-30L
廠商型號(hào)

TIM1213-30L

功能描述

MICROWAVE POWER GaAs FET

文件大小

348.36 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-21 17:25:00

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TIM1213-30L規(guī)格書詳情

FEATURES

?BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET

?HIGH POWER

P1dB= 45.0dBm at 12.7GHz to 13.2GHz

?HIGH GAIN

G1dB= 5.5dB at 12.7GHz to 13.2GHz

?LOW INTERMODULATION DISTORTION

IM3= -28dBc at Pout= 33dBm (Single Carrier Level)

?HERMETICALLY SEALED PACKAGE

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    TIM1213-30L

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANSISTOR, GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 13GHZ, 60W - Trays

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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