| 零件編號 | 下載 訂購 | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP DARLINGTON TRANSISTOR Description Designedforuseingeneralpurposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. Pinning 1=Base 2=Collector 3=Emitter | DCCOM Dc Components | DCCOM | ||
Marking：TIP117；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES HighDCCurrentGain LowCollector-EmitterSaturationVoltage ComplementarytoTIP112 | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司 | DGNJDZ | ||
Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?DARLINGTON ?HighDCcurrentgain ?Lowcollectorsaturationvoltage ?ComplementtotypeTIP110/111/112 APPLICATIONS ?Forindustrialuse | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-1A(Min.) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?IndustrialUse ?ComplementarytoTIP110/111/112 | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 | Fairchild | ||
PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistors Features ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4.0V,IC=1.0A(Min.) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?ComplementarytoTIP110/111/112 ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司 | MCC | ||
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.) MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTIN BASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE. FEATURES ?HighDCCurrentGain. :hFE=1000(Min.),＠VCE=-4V,IC=-1A. ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage. ?ComplementarytoTIP112. | KECKEC CORPORATION KEC株式會社 | KEC | ||
TRANSISTOR (PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighDCCurrentGain ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage ●ComplementarytoTIP112 | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司 | JIANGSU | ||
POWER TRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)
| MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | ||
DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
| MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | ||
Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors Designedforgeneral?purposeamplifierandlow?speedswitchingapplications. Features ?HighDCCurrentGain? hFE=2500(Typ)@IC =1.0Adc ?Collector?EmitterSustainingVoltage?@30mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min) | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
300V
- 最大電流允許值：
2.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
BU126,BU211,BUY23A,BUY75,3DK305G,
- 最大耗散功率：
65W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
300
- htest：
999900
- atest：
2.5
- wtest：
65
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
TIP
- 制造商：
VISHAY
- 制造商全稱：
Vishay Siliconix
- 功能描述：
Infrared Touch Panels
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchi |
24+ |
TO-220 |
6000 |
進(jìn)口原裝正品假一賠十,貨期7-10天 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
DIP |
43 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
SAMSANG |
19+ |
TO220 |
256800 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠； |
詢價 | ||
ST |
24+ |
TO-220 |
20000 |
全新原廠原裝，進(jìn)口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅??！ |
詢價 | ||
FSC |
8 |
DIP |
613 |
原裝正品 |
詢價 | ||
FSC |
13+14+ |
TO-220AB |
5000 |
全新原裝 |
詢價 | ||
FCI |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
TO-220 |
3200 |
原裝長期供貨! |
詢價 | |||
MOT |
23+ |
TO220-3 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 |
