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TIP105分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

TIP105
廠商型號(hào)

TIP105
參數(shù)屬性

TIP105 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP DARL 60V 8A TO220-3
功能描述

PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

550.61 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild【仙童半導(dǎo)體】

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-21 16:58:00
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晶體管資料

  • 型號(hào)：

    TIP105

  • 別名：

    TIP105三極管、TIP105晶體管、TIP105晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）_開(kāi)關(guān)管 （S

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    8A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BD646,BD898,BDW74A...D,BDX54A...F,3CA10,

  • 最大耗散功率：

    80W

  • 放大倍數(shù)：

    β>1000

  • 圖片代號(hào)：

    B-10

  • vtest：

    60

  • htest：

    999900

  • atest：

    8

  • wtest：

    80

TIP105規(guī)格書詳情

Monolithic Construction With Built In Base Emitter Shunt Resistors

? High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= -4V, IC= -3A (Min.)

? Collector-Emitter Sustaining Voltage

? Low Collector-Emitter Saturation Voltage

? Industrial Use

? Complementary to TIP100/101/102

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    TIP105

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    2.5V @ 80mA，8A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 3A，4V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    TRANS PNP DARL 60V 8A TO220-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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