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TIP112F
廠商型號

TIP112F

功能描述

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)

文件大小

41.37 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 KEC CORPORATION
企業(yè)簡稱

KEC

中文名稱

KEC株式會社官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-6 23:40:00

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TIP112F規(guī)格書詳情

MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN

BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.

FEATURES

? High DC Current Gain.

: hFE=1000(Min.), VCE=4V, IC=1A.

? Low Collector-Emitter Saturation Voltage.

? Complementary to TIP117F.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    TIP112F

  • 制造商:

    KEC

  • 制造商全稱:

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述:

    EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR(MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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