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TIP141G

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

TIP141G

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

TIP141G

Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN DARL 80V 10A TO247-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

TIP141NPN

SILICONPLANARDARLINGTONPOWERTRANSISTORS

DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowFrequencySwitchingApplications TO-3PNNonIsolated PlasticPackage

CDIL

Continental Device India Limited

TIP141-S

DesignedforComplementaryUsewithTIP145,TIP146andTIP147

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

TIP141T

SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

Features ?MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,lc=5A(Min.) ?IndustrialUse ?ComplementtoTIP145T/146T/147T

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

TIP141T

NPNEpitaxialSiliconDarlingtonTransistor

Features ?MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,lc=5A(Min.) ?IndustrialUse ?ComplementtoTIP145T/146T/147T

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

TIP141T

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors

TAI-SAW

TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.

TIP141T

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=2V,IC=5A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP145/146/147

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

TIP141T

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors

Features ?MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=5A(Min.) ?IndustrialUse ?ComplementtoTIP145T/146T/147T

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    TIP141G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 40mA，10A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    2mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 5A，4V

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 80V 10A TO247-3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TIP141G供應商 更新時間2025-4-1 16:50:00

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