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Silicon epitaxial chip of p-n-p medium power transistor (Ic max=3A) GeneralDescription: Siliconepitaxialchipofp-n-pmediumpowertransistor(Icmax=3A)usedforgeneral-purposeamplifierandswitchingapplication. ComplementarypairTIP31C RecommendedultrasonicbondingwireAl Emitter-2wiredia80μm Base-1wiredia80μm | FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司 | FCI | ||
Marking：TIP32C；Package：TO-220C；PNP Epitaxial Silicon Transistor FEATURES ●Highcollectorvoltage：VCEO=-100V(min) ●ComplementarytoTIP31C ●RoHSproduct APPLICATIONS ●MediumPowerLinearSwitchingApplications | JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司 | JSMC | ||
Marking：TIP32C；Package：TO-220；PNP Epitaxial Silicon Transistor FEATURES ●Highcollectorvoltage：VCEO=-100V(min) ●ComplementarytoTIP31C ●RoHSproduct APPLICATIONS ●MediumPowerLinearSwitchingApplications | JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司 | JSMC | ||
PLASTIC POWER TRANSISTORS ComplementarySiliconTransistorsintendedforawidevarietyofSwitchingandAmplifier Applications,SeriesandShuntRegulators,DriverandOutputstagesofHi-FiAmplifiers | CDIL Continental Device India Limited | CDIL | ||
PNP EXPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCTIP32CisaPNPexpitaxialplanartransistor,designedforusingingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. FEATURES *ComplementtoTIP31C | UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司 | UTC | ||
PNP EXPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCTIP32CisaPNPexpitaxialplanartransistor,designedforusingingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. FEATURES *ComplementtoTIP31C | UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司 | UTC | ||
POWER TRANSISTORS(3.0A,120-160V,40W) COMPLEMENTARYSILICONHIGH-POWERTRANSISTORS GeneralPurpose-AmplifierandSwitchingApplication.. | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | ||
isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ?DCCurrentGain-hFE=25(Min)@IC=-1A ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-120V(Min) ?ComplementtoTypeTIP31D APPLICATIONS ?Designedforuseingeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
POWER TRANSISTORS(3.0A,120-160V,40W) COMPLEMENTARYSILICONHIGH-POWERTRANSISTORS GeneralPurpose-AmplifierandSwitchingApplication.. | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | ||
POWER TRANSISTORS(3.0A,120-160V,40W) COMPLEMENTARYSILICONHIGH-POWERTRANSISTORS GeneralPurpose-AmplifierandSwitchingApplication.. | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
45V
- 最大電流允許值：
3A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
- 最大耗散功率：
40W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
B-10
- vtest：
45
- htest：
999900
- atest：
3
- wtest：
40
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
TIP32
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
管件
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
300μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 3A，4V
- 頻率 - 躍遷：
3MHz
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220-3
- 描述：
TRANS PNP 40V 3A TO220-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST正品 |
20+ |
TO-220 |
80000 |
剛到原裝現(xiàn)貨承諾假一罰十 |
詢價(jià) | ||
N/A |
24+ |
TO-220 |
4000 |
原裝原廠代理 可免費(fèi)送樣品 |
詢價(jià) | ||
N/A |
22+ |
TO-220 |
7500 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
2410+ |
TO-3P |
10000 |
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯. |
詢價(jià) | ||
Slkor/薩科微 |
24+ |
TO-220 |
50000 |
Slkor/薩科微一級(jí)代理,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
CDL |
06+ |
原廠原裝 |
2051 |
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
ST |
15+ |
TO-220 |
11560 |
全新原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存,長(zhǎng)期供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
FSC |
2015+ |
SOP/DIP |
19889 |
一級(jí)代理原裝現(xiàn)貨,特價(jià)熱賣! |
詢價(jià) | ||
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
詢價(jià) | |||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) |
