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零件編號	下載訂購	功能描述/絲印	制造商上傳企業(yè)	LOGO
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USN1206	文件：378.12 Kbytes Page：3 Pages	ThermalsensitiveFuse,SMD1206,32VDC	SCHURTERSchurter Inc. 碩特碩特集團(tuán)	SCHURTER
UST1206	文件：436.51 Kbytes Page：2 Pages	SMDFuse,3.2x1.6mm,Slow-Blow,32VAC,63VDC UL248-14·32VAC·63VDC·Slow-Blow Description -ULcharacteristic -HighmeltingI2t-values -Highcurrentratingsupto25A Applications -SecondaryProtectionDCandAC -Circuitswithinrush -LCDBacklightDC-ACInverter	SCHURTERSchurter Inc. 碩特碩特集團(tuán)	SCHURTER
UST1206	文件：310.7 Kbytes Page：4 Pages	SMDFuse,3.2x1.6mm,Time-LagT,32VAC,63VDC	SCHURTERSchurter Inc. 碩特碩特集團(tuán)	SCHURTER
VBA1206	文件：679.8 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?Low-SideMOSFETforSynchronousBuck -GameMachine -PC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
VBE1206	文件：479.86 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
VBE1206	文件：688.77 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET FEATURES TrenchFETPowerMOSFET 175CMaximumJunctionTemperature 100RgTested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
VBE1206N	文件：589.66 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
VBE1206N	文件：601.14 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?PWMOptimized ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
VBM1206	文件：560.54 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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