TK3R1P04PL中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	TK3R1P04PL
功能描述	MOSFETs Silicon N-channel MOS
絲印標識	TK3R1P04PL
封裝外殼	DPAK
文件大小	501.63 Kbytes
頁面數(shù)量	9 頁
生產(chǎn)廠商	Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱	TOSHIBA【東芝】
中文名稱	株式會社東芝官網(wǎng)
原廠標識
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更新時間	2025-5-4 11:06:00
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1. Applications

? High-Efficiency DC-DC Converters

? Switching Voltage Regulators

? Motor Drivers

2. Features

(1) High-speed switching

(2) Small gate charge: QSW = 19 nC (typ.)

(3) Small output charge: Qoss = 42 nC (typ.)

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.5 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(5) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)

(6) Enhancement mode: Vth = 1.4 to 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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