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TK4A60DB中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

TK4A60DB
廠商型號(hào)

TK4A60DB

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)

絲印標(biāo)識(shí)

K4A60DB

文件大小

261.5 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-23 20:00:00

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TK4A60DB規(guī)格書詳情

Switching Regulator Applications

? Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.6Ω(typ.)

? High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.2 S (typ.)

? Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 600V)

? Enhancement mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    TK4A60DB

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    MOSFET,N CH,600V,3.7A,SC-67

  • 功能描述:

    MOSFET,N CH,600V,3.7A,SC-67; Transistor

  • Polarity:

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id:

    3.7A; Drain Source Voltage

  • Vds:

    600V; On Resistance

  • Rds(on):

    1.6ohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    10V; Power Dissipation

  • Pd:

    35W; No. of

  • Pins:

    3 ;RoHS

  • Compliant:

    Yes

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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