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ITK58E06N1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

TK58E06N1

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

TK58E06N1

SwitchingVoltageRegulators

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TK58E06N1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    TK58E06N1,S1X

  • 功能描述：

    MOSFET 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Toshiba Semiconductor and Stor
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三極管/MOS管/晶體管 > 場效應管(MOSFET)
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更多TK58E06N1,S1X供應商 更新時間2025-5-18 15:00:00

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