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TK60E08K3,S1X(S_分立半導體產品 晶體管-FETMOSFET-單個-Toshiba Semiconductor and Storage

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  • 廠家型號：

    TK60E08K3,S1X(S

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 庫存數量：

    0

  • 類別：

    分立半導體產品 晶體管-FETMOSFET-單個

  • 封裝外殼：

    TO-220-3

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 更新時間：

    2025-5-4 15:00:00

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原廠料號：TK60E08K3,S1X(S品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明：MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3

TK60E08K3,S1X(S是分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產封裝TO-220-3的TK60E08K3,S1X(S晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用，它們具有高頻開關特性，同時又能承載大電流，使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

  • 芯片型號：

    tk60e08k3,s1x(s

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 資料說明：

    MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    TK60E08K3,S1X(S

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    60A

  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：

    9 毫歐 @ 30A，10V

  • 功率耗散（最大值）：

    128W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應商器件封裝：

    TO-220-3

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 描述：

    MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Toshiba Semiconductor and Stor
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