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IRF7404	文件：163.23 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF7404	文件：394.78 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelMOSFET Features ?VDs(VE-55V ?Rps(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRF7404	文件：376.09 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelMOSFET Features VDs(V=-55V RDs(oN)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRF7404PBF	文件：231.77 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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IRF7404QPBF	文件：260.92 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=-20V,RDS(on)=0.040廓) Description TheseHEXFET?PowerMOSFETsinpackageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalanch	IRF International Rectifier	IRF
IRF7404TR	文件：394.78 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelMOSFET Features ?VDs(VE-55V ?Rps(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRF7404TR	文件：376.09 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelMOSFET Features VDs(V=-55V RDs(oN)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRF7404TRPBF	文件：237.78 Kbytes Page：10 Pages	generationvtechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF7404TRPBF	文件：1.0734 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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