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TPCF8101

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIII)

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=22m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=14S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=?10μA(max)(VDS=?12V) ?Enhancementmodel:Vth=?0.5to?1.2V

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIII)

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TPCP8101

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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TPCP8101

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSIII)

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Smallfootprintduetosmallandthinpackage ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=24mΩ(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=14S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-20V) ?Enhancementmo

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TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSII)

LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCs ●Smallfootprintduetosmallandthinpackage ●Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=15m?(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=12S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=?10μA(max)(VDS=?3

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德州儀器美國德州儀器公司

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TPIC8101DW

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DIP20
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